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中浩遠(yuǎn)達(dá)|某除鹽水站混床樹脂污染

來源:中浩遠(yuǎn)達(dá) 工業(yè)水處理藥劑廠家 瀏覽: 發(fā)布日期:2020/10/30 16:43:17【
某除鹽水站混床出水電導(dǎo)率基本上保持在0.08μS/cm,硅基本上在1~2μg/L區(qū)域內(nèi)。連續(xù)性運行10d左右電導(dǎo)率雖未明顯升高,但硅離子快速升高,從1~2μg/L快速升至20μg/L以上。造成可再生周期明顯偏短、可再生頻繁,消耗大量的酸、堿和水資源,廠內(nèi)用水量無法得到保障。
江蘇中浩遠(yuǎn)達(dá)技術(shù)員對以上問題做好分析及處理:
(1)混床出水硅成分超標(biāo)準(zhǔn)很有可能由陰床出水硅超標(biāo)準(zhǔn)造成,而陰床出水硅成分超標(biāo)準(zhǔn)又可能是基于陽床出水鈉離子超標(biāo)準(zhǔn)。
對陽床出水做好檢測,進(jìn)水電導(dǎo)率為10μS/cm左右,出水電導(dǎo)率基本上在12~18μS/cm,且檢測數(shù)據(jù)顯示陽床出水鈉離子<100μg/L,在正常區(qū)域內(nèi),故排除陽床漏鈉。
(2)硅化合物在水中的存有形態(tài)很復(fù)雜性,有離子態(tài)、聚合態(tài)和膠體態(tài)。強(qiáng)堿陰樹脂與硅化合物相互之間的反應(yīng)不僅有離子交換過程,還有物理吸咐過程。強(qiáng)堿陰樹脂對陰離子的選擇性依次為SO42->NO3->Cl->OH->F->HCO3->HSiO3-,對硅酸根的選擇性差,且對膠體硅通常不產(chǎn)生離子交換反應(yīng),只有根據(jù)機(jī)械設(shè)備過慮和吸咐方式局部去除。
故判斷混床出水硅成分超標(biāo)準(zhǔn)與陰床、混床中的陰樹脂有關(guān)。
(3)觀察了混床反洗分層情況,得知反洗分層時陰陽離子樹脂界面不清晰。而反洗分層是否充分是危害混床可再生是否充分的關(guān)鍵因素。
江蘇中浩遠(yuǎn)達(dá)技術(shù)員認(rèn)為離子交換樹脂投入使用前應(yīng)做好必要的預(yù)處理,防止因樹脂抱團(tuán)導(dǎo)致反洗分層不充分,終影響到出水水質(zhì)。為防止樹脂再次污染,為了確保長周期平穩(wěn)運作,應(yīng)盡可能把控進(jìn)水水質(zhì),為了確保整體運行穩(wěn)定,另外降低備用陰床、混床的停運時間,要定期運行或沖洗設(shè)備。 
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江蘇中浩遠(yuǎn)達(dá)環(huán)境工程有限公司是集水處理系列藥劑、水處理設(shè)備的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品生產(chǎn)、解決方案及市場銷售為一體的專業(yè)性水處理工程公司。